NDF11N50ZH
製造者製品番号:

NDF11N50ZH

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

NDF11N50ZH-DG

説明:

MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
詳細な説明:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220-2 Full Pack

在庫:

12840623
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NDF11N50ZH 技術仕様

カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
500 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
520mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4.5V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1645 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
39W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-2 Full Pack
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
基本品番
NDF11

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
50
他の名前
NDF11N50ZHOS
NDF11N50ZH-DG

環境および輸出分類

湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095

代替モデル

部品番号
IRFIB7N50APBF
製造業者
Vishay Siliconix
在庫数
813
部品番号
IRFIB7N50APBF-DG
単価
1.31
代替タイプ
Similar
部品番号
TK11A50D(STA4,Q,M)
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在庫数
0
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