製造者製品番号:
FQP33N10
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FQP33N10-DG
説明:
MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
詳細な説明:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 127W (Tc) Through Hole TO-220-3
在庫:
12840624
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FQP33N10 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
QFET®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
33A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
52mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±25V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
127W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3
基本品番
FQP33
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
2156-FQP33N10-OS
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
Not Applicable
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
PSMN009-100P,127
製造業者
NXP Semiconductors
在庫数
291
部品番号
PSMN009-100P,127-DG
単価
1.44
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単価
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