製造者製品番号:
MUN5235T1G
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
MUN5235T1G-DG
説明:
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
詳細な説明:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
在庫:
49745 新規オリジナル在庫あり
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MUN5235T1G 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングル、プリバイアスバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
100 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
50 V
抵抗 - ベース (R1)
2.2 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2)
47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
80 @ 5mA, 10V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
250mV @ 1mA, 10mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500nA
パワー - 最大
202 mW
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-70-3 (SOT323)
基本品番
MUN5235
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
2156-MUN5235T1G-OS
MUN5235T1GOSCT
MUN5235T1G-DG
MUN5235T1GOSTR
MUN5235T1GOSDKR
ONSONSMUN5235T1G
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
DIGI認証
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