製造者製品番号:
MUN2112T1G
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
MUN2112T1G-DG
説明:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
詳細な説明:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59
在庫:
11998 新規オリジナル在庫あり
12852515
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MUN2112T1G 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングル、プリバイアスバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
PNP - Pre-Biased
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
100 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
50 V
抵抗 - ベース (R1)
22 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2)
22 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
60 @ 5mA, 10V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
250mV @ 300µA, 10mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500nA
パワー - 最大
230 mW
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-59
基本品番
MUN2112
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
ONSONSMUN2112T1G
MUN2112T1GOSCT
2832-MUN2112T1G
2156-MUN2112T1G-OS
MUN2112T1GOSDKR
MUN2112T1GOSTR
MUN2112T1G-DG
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
DIGI認証
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