製造者製品番号:
FDG6302P
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
FDG6302P-DG
説明:
MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC88
詳細な説明:
Mosfet Array 25V 140mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
在庫:
12838817
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
hmBn
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
FDG6302P 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, FET、MOSFETアレイ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
構成
2 P-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
25V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
140mA
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
12pF @ 10V
パワー - 最大
300mW
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-88 (SC-70-6)
基本品番
FDG6302
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
代替モデル
DIGI認証
関連商品
FDMA1029PZ
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
FDS4897AC
MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
EFC6601R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718
