EFC6601R-TR
製造者製品番号:

EFC6601R-TR

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

EFC6601R-TR-DG

説明:

MOSFET 2N-CH EFCP2718
詳細な説明:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020

在庫:

12838846
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EFC6601R-TR 技術仕様

カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), FET、MOSFETアレイ
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
構成
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate, 2.5V Drive
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
-
Vgs(th)(最大)@ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
48nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
パワー - 最大
2W
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
6-XFBGA, FCBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
EFCP2718-6CE-020
基本品番
EFC6601

追加情報

スタンダードパッケージ
5,000
他の名前
EFC6601R-TROSCT
2156-EFC6601R-TR-OS
ONSONSEFC6601R-TR
EFC6601R-TR-DG
EFC6601R-TROSDKR
EFC6601R-TROSTR

環境および輸出分類

RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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