製造者製品番号:
SIHU4N80E-GE3
Product Overview
製造者:
Vishay Siliconix
部品番号:
SIHU4N80E-GE3-DG
説明:
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
詳細な説明:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
在庫:
12920734
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
N65R
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
SIHU4N80E-GE3 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Vishay
パッケージング
Tube
級数
E
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
800 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
622 pF @ 100 V
FET機能
-
消費電力(最大)
69W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
IPAK (TO-251)
パッケージ/ケース
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
基本品番
SIHU4
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
SIHU4N80AE-GE3
製造業者
Vishay Siliconix
在庫数
2995
部品番号
SIHU4N80AE-GE3-DG
単価
0.54
代替タイプ
Parametric Equivalent
DIGI認証
関連商品
SQ4410EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
SIR800ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
SUM50P10-42-E3
MOSFET N-CH 100V 36A TO263
