製造者製品番号:
SI1016X-T1-GE3
Product Overview
製造者:
Vishay Siliconix
部品番号:
SI1016X-T1-GE3-DG
説明:
MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
詳細な説明:
Mosfet Array 20V 485mA, 370mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
在庫:
21451 新規オリジナル在庫あり
12915155
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SI1016X-T1-GE3 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, FET、MOSFETアレイ
製造者
Vishay
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
TrenchFET®
製品ステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
構成
N and P-Channel
FET機能
Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
485mA, 370mA
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
パワー - 最大
250mW
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-89 (SOT-563F)
基本品番
SI1016
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
SI1016X-T1-GE3DKR
SI1016XT1GE3
SI1016X-T1-GE3CT
SI1016X-T1-GE3TR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
DIGI認証
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