製造者製品番号:
TPN4R806PL,L1Q
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
TPN4R806PL,L1Q-DG
説明:
MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
詳細な説明:
N-Channel 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
在庫:
13199 新規オリジナル在庫あり
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TPN4R806PL,L1Q 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
U-MOSIX-H
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
60 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
72A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
3.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 300µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2770 pF @ 30 V
FET機能
-
消費電力(最大)
630mW (Ta), 104W (Tc)
動作温度
175°C
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSON Advance (3.1x3.1)
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN
基本品番
TPN4R806
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
5,000
他の名前
264-TPN4R806PLL1QTR
264-TPN4R806PLL1QCT
264-TPN4R806PLL1QDKR
TPN4R806PL,L1Q(M
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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