製造者製品番号:
TPN11003NL,LQ
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
TPN11003NL,LQ-DG
説明:
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
詳細な説明:
N-Channel 30 V 11A (Tc) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
在庫:
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TPN11003NL,LQ 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
U-MOSVIII-H
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
11mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.3V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
660 pF @ 15 V
FET機能
-
消費電力(最大)
700mW (Ta), 19W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSON Advance (3.1x3.1)
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN
基本品番
TPN11003
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
TPN11003NLLQCT
TPN11003NL,LQ(S
TPN11003NLLQDKR
TPN11003NLLQTR
環境および輸出分類
RoHSステータス
RoHS Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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