製造者製品番号:
TPH7R006PL,L1Q
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
TPH7R006PL,L1Q-DG
説明:
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
詳細な説明:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
在庫:
54092 新規オリジナル在庫あり
12890499
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TPH7R006PL,L1Q 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
U-MOSIX-H
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
60 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
60A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 200µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1875 pF @ 30 V
FET機能
-
消費電力(最大)
81W (Tc)
動作温度
175°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN
基本品番
TPH7R006
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
5,000
他の名前
TPH7R006PLL1QCT
TPH7R006PL,L1Q(M
TPH7R006PLL1QDKR
TPH7R006PLL1QTR
TPH7R006PLL1Q
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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