製造者製品番号:
TK6P60W,RVQ
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
TK6P60W,RVQ-DG
説明:
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
詳細な説明:
N-Channel 600 V 6.2A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
在庫:
1999 新規オリジナル在庫あり
12889813
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TK6P60W,RVQ 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
DTMOSIV
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
820mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.7V @ 310µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
390 pF @ 300 V
FET機能
-
消費電力(最大)
60W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
DPAK
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
TK6P60
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,000
他の名前
264-TK6P60W,RVQCT
TK6P60WRVQDKR-DG
264-TK6P60W,RVQDKR
TK6P60WRVQDKR
TK6P60WRVQCT
TK6P60WRVQTR
TK6P60W,RVQ(S
TK6P60WRVQ
TK6P60WRVQCT-DG
TK6P60WRVQTR-DG
264-TK6P60W,RVQTR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IPD80R750P7ATMA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
4184
部品番号
IPD80R750P7ATMA1-DG
単価
0.54
代替タイプ
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