製造者製品番号:
TK25E60X,S1X
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
TK25E60X,S1X-DG
説明:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
詳細な説明:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220
在庫:
13 新規オリジナル在庫あり
12890046
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TK25E60X,S1X 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
Tube
級数
DTMOSIV-H
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
25A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 1.2mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2400 pF @ 300 V
FET機能
-
消費電力(最大)
180W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
パッケージ/ケース
TO-220-3
基本品番
TK25E60
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
TK25E60X,S1X(S
TK25E60XS1X
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IPP65R125C7XKSA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
470
部品番号
IPP65R125C7XKSA1-DG
単価
2.09
代替タイプ
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