製造者製品番号:
TK14C65W,S1Q
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
TK14C65W,S1Q-DG
説明:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
詳細な説明:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
在庫:
12891548
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TK14C65W,S1Q 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
-
級数
DTMOSIV
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 690µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1300 pF @ 300 V
FET機能
-
消費電力(最大)
130W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本品番
TK14C65
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
TK14C65W,S1Q(S
TK14C65W,S1Q-DG
TK14C65WS1Q
TK14C65W,S1Q(S2
環境および輸出分類
RoHSステータス
RoHS Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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