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よくある質問
製造者製品番号:
TK12J60U(F)
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
TK12J60U(F)-DG
説明:
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
詳細な説明:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 144W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
在庫:
オンラインRFQ
12891024
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TK12J60U(F) 技術仕様
カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
-
級数
DTMOSII
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
400mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
720 pF @ 10 V
FET機能
-
消費電力(最大)
144W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3P(N)
パッケージ/ケース
TO-3P-3, SC-65-3
基本品番
TK12J60
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
TK12J60UF
TK12J60U(F)-DG
環境および輸出分類
RoHSステータス
RoHS Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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