製造者製品番号:
SSM3J356R,LF
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
SSM3J356R,LF-DG
説明:
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
詳細な説明:
P-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
在庫:
189285 新規オリジナル在庫あり
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SSM3J356R,LF 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
U-MOSVI
製品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
60 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
300mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs(最大)
+10V, -20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
330 pF @ 10 V
FET機能
-
消費電力(最大)
1W (Ta)
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23F
パッケージ/ケース
SOT-23-3 Flat Leads
基本品番
SSM3J356
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
SSM3J356RLFTR
SSM3J356R,LF(B
SSM3J356RLFDKR
SSM3J356RLFCT
SSM3J356R,LF(T
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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