製造者製品番号:
RN2306,LF
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
RN2306,LF-DG
説明:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
詳細な説明:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70
在庫:
3000 新規オリジナル在庫あり
12889661
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RN2306,LF 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングル、プリバイアスバイポーラトランジスタ
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
PNP - Pre-Biased
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
100 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
50 V
抵抗 - ベース (R1)
4.7 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2)
47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
80 @ 10mA, 5V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500nA
周波数 - トランジション
200 MHz
パワー - 最大
100 mW
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-70
基本品番
RN2306
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
264-RN2306,LFCT
264-RN2306,LFTR
RN2306LFCT
RN2306LFTR-DG
RN2306,LF(T
RN2306LFDKR
RN2306,LF(B
RN2306LFTR
RN2306LFCT-DG
264-RN2306,LFDKR
RN2306LFDKR-DG
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0075
DIGI認証
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