製造者製品番号:
RN2107ACT(TPL3)
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
RN2107ACT(TPL3)-DG
説明:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
詳細な説明:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
在庫:
12890717
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RN2107ACT(TPL3) 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングル、プリバイアスバイポーラトランジスタ
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
PNP - Pre-Biased
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
80 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
50 V
抵抗 - ベース (R1)
10 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2)
47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
80 @ 10mA, 5V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
150mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500nA
パワー - 最大
100 mW
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SC-101, SOT-883
サプライヤーデバイスパッケージ
CST3
基本品番
RN2107
追加情報
スタンダードパッケージ
10,000
他の名前
RN2107ACT(TPL3)DKR
RN2107ACT(TPL3)TR
RN2107ACT(TPL3)CT
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
代替モデル
DIGI認証
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