製造者製品番号:
RN1303(TE85L,F)
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
RN1303(TE85L,F)-DG
説明:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
詳細な説明:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SC-70
在庫:
12889991
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RN1303(TE85L,F) 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングル、プリバイアスバイポーラトランジスタ
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
100 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
50 V
抵抗 - ベース (R1)
22 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2)
22 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
70 @ 10mA, 5V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500nA
周波数 - トランジション
250 MHz
パワー - 最大
100 mW
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-70
基本品番
RN1303
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
RN1303TE85LF
RN1303(TE85LF)TR
RN1303(TE85LF)CT
RN1303(TE85LF)DKR
環境および輸出分類
RoHSステータス
RoHS Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0075
代替モデル
部品番号
RN1103,LF(CT
製造業者
Toshiba Semiconductor and Storage
在庫数
3000
部品番号
RN1103,LF(CT-DG
単価
0.02
代替タイプ
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