製造者製品番号:
RN1105MFV,L3F
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
RN1105MFV,L3F-DG
説明:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
詳細な説明:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
在庫:
12889116
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RN1105MFV,L3F 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングル、プリバイアスバイポーラトランジスタ
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
100 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
50 V
抵抗 - ベース (R1)
2.2 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2)
47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
80 @ 10mA, 5V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 500µA, 5mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500nA
パワー - 最大
150 mW
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SOT-723
サプライヤーデバイスパッケージ
VESM
基本品番
RN1105
追加情報
スタンダードパッケージ
8,000
他の名前
RN1105MFV(TL3T)TR
RN1105MFV,L3FCT
RN1105MFVTL3T
RN1105MFV(TL3T)DKR-DG
RN1105MFV(TL3T)CT-DG
RN1105MFV,L3F(B
RN1105MFV,L3FTR
RN1105MFV(TL3T)DKR
RN1105MFV(TL3T)TR-DG
RN1105MFV(TL3T)CT
RN1105MFV,L3F(T
RN1105MFV,L3FDKR
RN1105MFV(TL3,T)
環境および輸出分類
RoHSステータス
RoHS Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
代替モデル
DIGI認証
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