製造者製品番号:
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
HN2A01FU-Y(TE85L,F-DG
説明:
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
在庫:
2273 新規オリジナル在庫あり
12890480
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HN2A01FU-Y(TE85L,F 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), バイポーラトランジスタアレイ
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
Cut Tape (CT)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
2 PNP (Dual)
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
150mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
50V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 10mA, 100mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
120 @ 2mA, 6V
パワー - 最大
200mW
周波数 - トランジション
80MHz
動作温度
125°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ
US6
基本品番
HN2A01
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
HN2A01FU-Y(TE85LFCT
HN2A01FU-Y(TE85LFDKR
HN2A01FU-Y(TE85LFTR
環境および輸出分類
RoHSステータス
RoHS Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
DIGI認証
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