製造者製品番号:
2SK3906(Q)
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
2SK3906(Q)-DG
説明:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
詳細な説明:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
在庫:
12891357
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2SK3906(Q) 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
330mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4250 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
150W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3P(N)
パッケージ/ケース
TO-3P-3, SC-65-3
基本品番
2SK3906
追加情報
スタンダードパッケージ
50
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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