製造者製品番号:
2SA1930,ONKQ(J
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
2SA1930,ONKQ(J-DG
説明:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
在庫:
12890175
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2SA1930,ONKQ(J 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
2 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
180 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
1V @ 100mA, 1A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
5µA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
100 @ 100mA, 5V
パワー - 最大
2 W
周波数 - トランジション
200MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220NIS
基本品番
2SA1930
追加情報
スタンダードパッケージ
1
他の名前
2SA1930ONKQ(J
2SA1930ONKQJ
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0075
代替モデル
DIGI認証
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