製造者製品番号:
2SA1201-Y(TE12L,ZC
Product Overview
製造者:
Toshiba Semiconductor and Storage
部品番号:
2SA1201-Y(TE12L,ZC-DG
説明:
PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 800 mA 120MHz 500 mW Surface Mount PW-MINI
在庫:
788 新規オリジナル在庫あり
12988590
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2SA1201-Y(TE12L,ZC 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
800 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
120 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
1V @ 50mA, 500mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
80 @ 100mA, 5V
パワー - 最大
500 mW
周波数 - トランジション
120MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-243AA
サプライヤーデバイスパッケージ
PW-MINI
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
1,000
他の名前
264-2SA1201-Y(TE12L,ZCCT
264-2SA1201-Y(TE12L,ZCTR
264-2SA1201-Y(TE12L,ZCTR-DG
264-2SA1201-Y(TE12L,ZCDKR
264-2SA1201-Y(TE12LZCTR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
DIGI認証
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