製造者製品番号:
CSD19532KTTT
Product Overview
製造者:
Texas Instruments
部品番号:
CSD19532KTTT-DG
説明:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
詳細な説明:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
在庫:
9910 新規オリジナル在庫あり
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CSD19532KTTT 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Texas Instruments
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
NexFET™
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
200A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
6V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
5.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5060 pF @ 50 V
FET機能
-
消費電力(最大)
250W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (DDPAK-3)
パッケージ/ケース
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
基本品番
CSD19532
データシートとドキュメント
データシート
メーカー製品ページ
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
2156-CSD19532KTTT
296-43211-6
TEXTISCSD19532KTTT
296-43211-1
296-43211-2
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
2 (1 Year)
REACHステータス
REACH Affected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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