製造者製品番号:
CSD18510KCS
Product Overview
製造者:
Texas Instruments
部品番号:
CSD18510KCS-DG
説明:
MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
詳細な説明:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 250W (Ta) Through Hole TO-220-3
在庫:
789 新規オリジナル在庫あり
13022595
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CSD18510KCS 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Texas Instruments
パッケージング
Tube
級数
NexFET™
包装
Tube
パーツステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
40 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
200A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
75 nC @ 4.5 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
11400 pF @ 20 V
FET機能
-
消費電力(最大)
250W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3
基本品番
CSD18510
データシートとドキュメント
データシート
メーカー製品ページ
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
296-47695
CSD18510KCS-ND
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
Not Applicable
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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