製造者製品番号:
STU6N60M2
Product Overview
製造者:
STMicroelectronics
部品番号:
STU6N60M2-DG
説明:
MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
詳細な説明:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
在庫:
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STU6N60M2 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
STMicroelectronics
パッケージング
Tube
級数
MDmesh™ II Plus
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±25V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
232 pF @ 100 V
FET機能
-
消費電力(最大)
60W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-251 (IPAK)
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本品番
STU6N60
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
75
他の名前
STU6N60M2-DG
497-13978-5
-497-13978-5
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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