製造者製品番号:
STF6N65M2
Product Overview
製造者:
STMicroelectronics
部品番号:
STF6N65M2-DG
説明:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
詳細な説明:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
在庫:
300 新規オリジナル在庫あり
12877053
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STF6N65M2 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
STMicroelectronics
パッケージング
Tube
級数
MDmesh™
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±25V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
226 pF @ 100 V
FET機能
-
消費電力(最大)
20W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220FP
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
基本品番
STF6
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
-497-15035-5
497-15035-5
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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