製造者製品番号:
STD6NM60N-1
Product Overview
製造者:
STMicroelectronics
部品番号:
STD6NM60N-1-DG
説明:
MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
詳細な説明:
N-Channel 600 V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
在庫:
12879054
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
NhAH
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
STD6NM60N-1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
STMicroelectronics
パッケージング
-
級数
MDmesh™ II
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
920mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±25V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
420 pF @ 50 V
FET機能
-
消費電力(最大)
45W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-251 (IPAK)
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本品番
STD6N
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
75
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
関連商品
STL31N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
STD110N8F6
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
STD2NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
