製造者製品番号:
STB25NM50N-1
Product Overview
製造者:
STMicroelectronics
部品番号:
STB25NM50N-1-DG
説明:
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
詳細な説明:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
在庫:
12880472
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STB25NM50N-1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
STMicroelectronics
パッケージング
-
級数
MDmesh™ II
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
500 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
22A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
140mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±25V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2565 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
160W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本品番
STB25N
追加情報
スタンダードパッケージ
1,000
他の名前
-497-5729
497-5729
1805-STB25NM50N-1
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IPB50R140CPATMA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
0
部品番号
IPB50R140CPATMA1-DG
単価
2.27
代替タイプ
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