CIGT252012LM2R2MNE
製造者製品番号:

CIGT252012LM2R2MNE

Product Overview

製造者:

Samsung Electro-Mechanics

部品番号:

CIGT252012LM2R2MNE-DG

説明:

FIXED IND 2.2UH 2A 89 MOHM SMD
詳細な説明:
2.2 µH Shielded Thin Film Inductor 2 A 89mOhm Max 1008 (2520 Metric)

在庫:

382880
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CIGT252012LM2R2MNE 技術仕様

カテゴリー
インダクタ、コイル、チョーク, 固定インダクタ
製造者
Samsung Electro-Mechanics
パッケージング
-
級数
CIGT
製品ステータス
Active
種類
Thin Film
素材 - コア
Metal Composite
インダクタンス
2.2 µH
寛容
±20%
定格電流(アンペア)
2 A
電流 - 飽和 (ISAT)
2.3A
シールド
Shielded
DC抵抗(DCR)
89mOhm Max
Q @ 周波数
-
周波数 - 自己共振
-
視聴率
-
動作温度
-40°C ~ 125°C
インダクタンス周波数 - テスト
1 MHz
顔立ち
-
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
1008 (2520 Metric)
サプライヤーデバイスパッケージ
1008 (2520 Metric)
サイズ/寸法
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
高さ - 着席状態(最大)
0.047" (1.20mm)

追加情報

スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
1276-6948-2
1276-6948-1
1276-6948-6

環境および輸出分類

RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8504.50.8000
DIGI認証
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