製造者製品番号:
UMD3NTR
Product Overview
製造者:
Rohm Semiconductor
部品番号:
UMD3NTR-DG
説明:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
詳細な説明:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
在庫:
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UMD3NTR 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), バイポーラトランジスタアレイ、プリバイアス
製造者
ROHM Semiconductor
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
100mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
50V
抵抗 - ベース (R1)
10kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2)
10kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
30 @ 5mA, 5V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 500µA, 10mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500nA
周波数 - トランジション
250MHz
パワー - 最大
150mW
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ
UMT6
基本品番
UMD3
データシートとドキュメント
信頼性に関するドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
Q5487065
UMD3NDKR
UMD3NCT
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
DIGI認証
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