製造者製品番号:
SCT3030ALHRC11
Product Overview
製造者:
Rohm Semiconductor
部品番号:
SCT3030ALHRC11-DG
説明:
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
詳細な説明:
N-Channel 650 V 70A (Tc) 262W Through Hole TO-247N
在庫:
468 新規オリジナル在庫あり
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SCT3030ALHRC11 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
ROHM Semiconductor
パッケージング
Tube
級数
-
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
70A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
18V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
39mOhm @ 27A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id
5.6V @ 13.3mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
104 nC @ 18 V
Vgs(最大)
+22V, -4V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1526 pF @ 500 V
FET機能
-
消費電力(最大)
262W
動作温度
175°C (TJ)
等級
Automotive
資格
AEC-Q101
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247N
パッケージ/ケース
TO-247-3
基本品番
SCT3030
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
30
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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