製造者製品番号:
RSJ550N10TL
Product Overview
製造者:
Rohm Semiconductor
部品番号:
RSJ550N10TL-DG
説明:
MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
詳細な説明:
N-Channel 100 V 55A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
在庫:
898 新規オリジナル在庫あり
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RSJ550N10TL 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
ROHM Semiconductor
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
55A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6150 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
100W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
LPTS
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本品番
RSJ550
データシートとドキュメント
信頼性に関するドキュメント
デザイン・リソース
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
1,000
他の名前
RSJ550N10TLDKR
RSJ550N10TLCT
RSJ550N10TLTR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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