製造者製品番号:
R6018JNXC7G
Product Overview
製造者:
Rohm Semiconductor
部品番号:
R6018JNXC7G-DG
説明:
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
詳細な説明:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220FM
在庫:
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R6018JNXC7G 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
ROHM Semiconductor
パッケージング
Tube
級数
-
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
18A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
15V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
286mOhm @ 9A, 15V
Vgs(th)(最大)@ Id
7V @ 4.2mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
42 nC @ 15 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1300 pF @ 100 V
FET機能
-
消費電力(最大)
72W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220FM
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
基本品番
R6018
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
50
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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