製造者製品番号:
EMH9FHAT2R
Product Overview
製造者:
Rohm Semiconductor
部品番号:
EMH9FHAT2R-DG
説明:
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
詳細な説明:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
在庫:
8115 新規オリジナル在庫あり
13522708
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EMH9FHAT2R 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), バイポーラトランジスタアレイ、プリバイアス
製造者
ROHM Semiconductor
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Not For New Designs
トランジスタタイプ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
100mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
-
抵抗 - ベース (R1)
10kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2)
47kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
68 @ 5mA, 5V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
-
周波数 - トランジション
250MHz
パワー - 最大
150mW
等級
Automotive
資格
AEC-Q101
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ
EMT6
基本品番
EMH9FHAT2
追加情報
スタンダードパッケージ
8,000
他の名前
EMH9FHAT2RDKR
EMH9FHAT2RTR
EMH9FHAT2RCT
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0075
DIGI認証
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