製造者製品番号:
EMG6T2R
Product Overview
製造者:
Rohm Semiconductor
部品番号:
EMG6T2R-DG
説明:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
詳細な説明:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
在庫:
13523633
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EMG6T2R 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), バイポーラトランジスタアレイ、プリバイアス
製造者
ROHM Semiconductor
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
100mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
50V
抵抗 - ベース (R1)
47kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2)
-
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
100 @ 1mA, 5V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 1mA, 10mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500nA (ICBO)
周波数 - トランジション
250MHz
パワー - 最大
150mW
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ
EMT5
基本品番
EMG6T2
データシートとドキュメント
信頼性に関するドキュメント
デザイン・リソース
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
8,000
他の名前
EMG6T2R-ND
EMG6T2RCT
EMG6T2RDKR
EMG6T2RTR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
DIGI認証
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