製造者製品番号:
DTA123EEBTL
Product Overview
製造者:
Rohm Semiconductor
部品番号:
DTA123EEBTL-DG
説明:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F
詳細な説明:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
在庫:
3000 新規オリジナル在庫あり
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DTA123EEBTL 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングル、プリバイアスバイポーラトランジスタ
製造者
ROHM Semiconductor
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Not For New Designs
トランジスタタイプ
PNP - Pre-Biased
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
100 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
50 V
抵抗 - ベース (R1)
2.2 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2)
2.2 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
20 @ 20mA, 5V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 500µA, 10mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500nA
周波数 - トランジション
250 MHz
パワー - 最大
150 mW
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SC-89, SOT-490
サプライヤーデバイスパッケージ
EMT3F (SOT-416FL)
基本品番
DTA123
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
846-DTA123EEBTLTR
846-DTA123EEBTLCT
846-DTA123EEBTLDKR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0075
DIGI認証
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