製造者製品番号:
2SK1775-E
Product Overview
製造者:
Renesas Electronics Corporation
部品番号:
2SK1775-E-DG
説明:
MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
詳細な説明:
N-Channel 900 V 8A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-3P
在庫:
12858106
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2SK1775-E 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Renesas Electronics Corporation
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
900 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
1.6Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
-
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1730 pF @ 10 V
FET機能
-
消費電力(最大)
60W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3P
パッケージ/ケース
TO-3P-3, SC-65-3
基本品番
2SK1775
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
1
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Affected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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