製造者製品番号:
2SA1052MCTR-E
Product Overview
製造者:
Renesas Electronics Corporation
部品番号:
2SA1052MCTR-E-DG
説明:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 150 mW Surface Mount 3-MPAK
在庫:
21245 新規オリジナル在庫あり
12940230
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2SA1052MCTR-E 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
Renesas Electronics Corporation
パッケージング
Bulk
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
100 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
30 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
200mV @ 10mA, 1mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
160 @ 2mA, 12V
パワー - 最大
150 mW
周波数 - トランジション
-
動作温度
150°C (TJ)
等級
-
資格
-
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
3-MPAK
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,704
他の名前
RENRNS2SA1052MCTR-E
2156-2SA1052MCTR-E
環境および輸出分類
RoHSステータス
Not applicable
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
0000.00.0000
DIGI認証
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