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よくある質問
製造者製品番号:
SS9011GBU
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
SS9011GBU-DG
説明:
TRANS NPN 30V 0.03A TO92-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 30 mA 2MHz 400 mW Through Hole TO-92-3
在庫:
オンラインRFQ
12856707
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SS9011GBU 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
30 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
30 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 1mA, 10mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
72 @ 1mA, 5V
パワー - 最大
400 mW
周波数 - トランジション
2MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-92-3
基本品番
SS9011
データシートとドキュメント
データシート
SS9011GBU
HTML データシート
SS9011GBU-DG
追加情報
スタンダードパッケージ
1,000
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
DIGI認証
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