製造者製品番号:
NTP5863NG
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
NTP5863NG-DG
説明:
MOSFET N-CH 60V 97A TO220AB
詳細な説明:
N-Channel 60 V 97A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
在庫:
12845131
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NTP5863NG 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
60 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
97A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
7.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3200 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
150W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
パッケージ/ケース
TO-220-3
基本品番
NTP586
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
50
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IPP80N06S2L07AKSA2
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
204
部品番号
IPP80N06S2L07AKSA2-DG
単価
1.98
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