製造者製品番号:
NJVBDX53C
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
NJVBDX53C-DG
説明:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 65 W Through Hole TO-220
在庫:
12859596
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NJVBDX53C 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN - Darlington
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
8 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
100 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
2V @ 12mA, 3A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
750 @ 3A, 3V
パワー - 最大
65 W
周波数 - トランジション
-
動作温度
-
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
基本品番
NJVBDX5
追加情報
スタンダードパッケージ
50
環境および輸出分類
RoHSステータス
RoHS non-compliant
湿度感度レベル(MSL)
3 (168 Hours)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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