NJVBDX53C
製造者製品番号:

NJVBDX53C

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

NJVBDX53C-DG

説明:

TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 65 W Through Hole TO-220

在庫:

12859596
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NJVBDX53C 技術仕様

カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN - Darlington
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
8 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
100 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
2V @ 12mA, 3A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
750 @ 3A, 3V
パワー - 最大
65 W
周波数 - トランジション
-
動作温度
-
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
基本品番
NJVBDX5

追加情報

スタンダードパッケージ
50

環境および輸出分類

RoHSステータス
RoHS non-compliant
湿度感度レベル(MSL)
3 (168 Hours)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095

代替モデル

部品番号
TIP132
製造業者
STMicroelectronics
在庫数
0
部品番号
TIP132-DG
単価
0.26
代替タイプ
Direct
部品番号
TIP102
製造業者
STMicroelectronics
在庫数
0
部品番号
TIP102-DG
単価
0.33
代替タイプ
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