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よくある質問
製造者製品番号:
NE5230DR2G
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
NE5230DR2G-DG
説明:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
詳細な説明:
General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
在庫:
オンラインRFQ
12859830
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NE5230DR2G 技術仕様
カテゴリー
アンプ, 計測器、オペアンプ、バッファアンプ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
アンプタイプ
General Purpose
回路数
1
出力タイプ
Rail-to-Rail
スルーレート
0.25V/µs
ゲイン帯域幅製品
600 kHz
電流 - 入力バイアス
40 nA
電圧 - 入力オフセット
400 µV
電流 - 供給
1.1mA
電流 - 出力 / チャンネル
32 mA
電圧 - 供給スパン (最小)
1.8 V
電圧 - 電源スパン (最大)
15 V
動作温度
0°C ~ 70°C
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
基本品番
NE5230
データシートとドキュメント
データシート
NE5230DR2G
HTML データシート
NE5230DR2G-DG
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
NE5230DR2G-DG
2156-NE5230DR2G-ONTR
NE5230DR2GOSCT
=NE5230DR2GOSCT-DG
ONSONSNE5230DR2G
NE5230DR2GOSTR
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8542.33.0001
代替モデル
部品番号
TS1851IDT
製造業者
STMicroelectronics
在庫数
43
部品番号
TS1851IDT-DG
単価
0.62
代替タイプ
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