製造者製品番号:
NDB6060
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
NDB6060-DG
説明:
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
詳細な説明:
N-Channel 60 V 48A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
在庫:
12857266
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
DiSL
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
NDB6060 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
60 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
48A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
25mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
100W (Tc)
動作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (D2PAK)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本品番
NDB606
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
800
他の名前
NDB6060TR-NDR
NDB6060TR
NDB6060CT
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
PSMN015-60BS,118
製造業者
Nexperia USA Inc.
在庫数
11707
部品番号
PSMN015-60BS,118-DG
単価
0.51
代替タイプ
Similar
DIGI認証
関連商品
NTD4806NAT4G
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
STTFS010N10MCL
PTNG 100V LL
NVMFS5C460NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN