製造者製品番号:
MJE170
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
MJE170-DG
説明:
TRANS PNP 40V 3A TO126
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole TO-126
在庫:
12852643
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MJE170 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
3 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
40 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
1.7V @ 600mA, 3A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
50 @ 100mA, 1V
パワー - 最大
12.5 W
周波数 - トランジション
50MHz
動作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-225AA, TO-126-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-126
基本品番
MJE170
データシートとドキュメント
追加情報
スタンダードパッケージ
500
他の名前
MJE170OS
環境および輸出分類
RoHSステータス
RoHS non-compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0075
代替モデル
DIGI認証
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