MJE15030G
製造者製品番号:

MJE15030G

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

MJE15030G-DG

説明:

TRANS NPN 150V 8A TO220
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 8 A 30MHz 50 W Through Hole TO-220

在庫:

12924 新規オリジナル在庫あり
12936620
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MJE15030G 技術仕様

カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
Tube
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
8 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
150 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
500mV @ 100mA, 1A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
20 @ 4A, 2V
パワー - 最大
50 W
周波数 - トランジション
30MHz
動作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
基本品番
MJE15030

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
50
他の名前
MJE15030GOS
2156-MJE15030G-OS
ONSONSMJE15030G

環境および輸出分類

RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
Not Applicable
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0075
DIGI認証
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