製造者製品番号:
MJD32CT4G
Product Overview
製造者:
onsemi
部品番号:
MJD32CT4G-DG
説明:
TRANS PNP 100V 3A DPAK
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK
在庫:
12855402
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MJD32CT4G 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
3 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
100 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
1.2V @ 375mA, 3A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
50µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
10 @ 3A, 4V
パワー - 最大
1.56 W
周波数 - トランジション
3MHz
動作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
DPAK
基本品番
MJD32
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
MJD32CT4GOS-DG
2156-MJD32CT4G-OS
MJD32CT4GOSDKR
MJD32CT4GOSTR
ONSONSMJD32CT4G
MJD32CT4GOSCT
MJD32CT4GOS
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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