MJD31CITU
製造者製品番号:

MJD31CITU

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

MJD31CITU-DG

説明:

TRANS NPN 100V 3A IPAK
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Through Hole I-PAK

在庫:

12854457
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MJD31CITU 技術仕様

カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
3 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
100 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
1.2V @ 375mA, 3A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
50µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
10 @ 3A, 4V
パワー - 最大
1.56 W
周波数 - トランジション
3MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
基本品番
MJD31

追加情報

スタンダードパッケージ
70

環境および輸出分類

湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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