MJD253-1G
製造者製品番号:

MJD253-1G

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

MJD253-1G-DG

説明:

TRANS PNP 100V 4A IPAK
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 40MHz 1.4 W Through Hole I-PAK

在庫:

454 新規オリジナル在庫あり
12854340
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MJD253-1G 技術仕様

カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
Tube
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
4 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
100 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
600mV @ 100mA, 1A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
40 @ 200mA, 1V
パワー - 最大
1.4 W
周波数 - トランジション
40MHz
動作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
基本品番
MJD253

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
75
他の名前
MJD253-1GOS
MJD2531G
ONSONSMJD253-1G
2832-MJD253-1G
MJD253-1G-DG
2156-MJD253-1G-OS

環境および輸出分類

RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0075

代替モデル

部品番号
MJD253T4G
製造業者
onsemi
在庫数
2587
部品番号
MJD253T4G-DG
単価
0.15
代替タイプ
MFR Recommended
DIGI認証
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